中國內地並沒有世界頂尖的晶圓廠商，規模最大的當數中芯國際(981)、華虹半導體(1347)，市值不到500億港元，營業額最大的中芯國際只有數十億美元。相對全年市值超過2000億美元市值的一流企業，如Intel、台積電等，差距一目之然。中國政府經歷中興件後，顯然意識到半導體技術落後的嚴重性，提倡大力發展半導體，但目前要走的路仍長。

半導體產業分為三個主要工序，設計、制造與組裝。據業內人士透露，製造的技術含量是關鍵。半導體講求的是對電阻與相應資訊的控制穩定性，製作過程極複雜，包括滲雜、光刻等一連串精細工序，而且需要量產、不可修復，細而一粒塵埃或絲毫的誤差便會影響半導體的性能。要知道，現時半導體的大小單位已至10納米上下，在肉眼也分辨不到的單位上，保持精細度是一項極艱辛的任務。晶圓設計並不困難，不少專家也能造出優良的設計，困難的是如何克服實際上的困難與保持高優良度地量產。與需求者而言，晶圓的優良度會直接影響硬件性能、軟件穩定性，猶其在運行速度要求極高的項目上，包括人工智能、AR/VR等。

台積電、Intel、SAMSUNG等一流企業一者在優良率上優勝，二者在研發進度上優勝，距離克服並量產7納米晶圓技術已極度接近。晶圓的大小決定著半導體的效能和功耗。而一般認為物理學上的極限在3-5納米，因為到那個時候，可通過的原子已非常有限。哪怕一粒原子的不穩定，已會造成不良率。

回頭看中國的半導體工業，華虹的業務相對下游，暫且不看。中芯國際近年引入前台積電高層梁孟松，並且成功引入光刻機，令中芯的科研水平追趕得非常快。唯技術水平對比最強的企業仍差數代。中芯最新的情況是，基本能克服14納米晶圓製造技術，但尚未能量產和克服如何保持高優良率的問題，其也正在開始12納米的研發路上。可見技術水平的落後。

中芯的水平確實不高，但在投資角度上，也不須要一面倒的劣評。正因現時技術水平低，中芯市值距離一流企業低近30倍。也就是說，當某日技術水平追上的時候，也可能有相應的升幅潛力，當然這不可能是一朝一夕的事。但在引入梁孟松後，中芯在28nm與14nm的研發上的確加速不少，在有物理學限制的前提下，用8-12年的時間追上世界頂尖水平也非天方夜譚。中國是科研需求大國，中芯先天上有地區的優勢。萬事俱備，只欠這來得不易的東風。